製品説明

-酸化ガリウム/ガ2O3一般に酸化ガリウムとして知られる物質は、近年半導体分野で注目を集めており、第 4 世代半導体の新たな章を表しています。研究者たちは研究室で目を引く画期的な進歩を続けており、量産と商品化のペースも加速し続けています。-
酸化ガリウムは化学的および熱的安定性が高く、バンドギャップ幅が 4.7 ~ 4.9 eV、臨界破壊電界強度が 8 MV/cm (SiC の理論限界である 2.5 MV/cm、GaN の 3.3 MV/cm よりもはるかに高い)、電子移動度が 250 cm2/V·s で、強力な透明導電性を備えています。 Baliga の性能指数は 3000 を超えており、これは GaN および SiC 材料の数倍です。
-Ga2O3また、太陽ブラインド紫外線 (200 ~ 280 nm) 検出の分野でも幅広い応用の可能性があります。酸化ガリウムのバンドギャップ幅は 4.8-4.9 eV で、対応する吸収バンド エッジは約 250 nm です。 AlGaNやZnMgOのような合金化プロセスは必要ありません。これは、太陽を遮る紫外線検出器を製造するのに理想的な材料です。
酸化ガリウム( -ガ2O3)結晶は安定した化学的性質を持ち、腐食しにくく、機械的強度が高く、高温でも安定した性能を持ち、可視光線および紫外線透過率が高くなります。特に紫外線や青色光の領域で透明性が高くなります。これは伝統的な透明導電性材料です。したがって、-Ga2O3 単結晶は新世代の透明導電材料となり、太陽電池やフラットパネルディスプレイ技術に応用できる可能性があります。 -Ga2O3 単結晶の導電率は周囲環境の変化に応じて変化し、ガス検知技術に使用できます。

製品パラメータ




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酸化ガリウム単結晶基板 |
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サイズ |
2インチおよびカスタマイズされた |
5mm*5mm-20mm*20mm |
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飛行機 |
<001>,<100> |
<-201>,<010> |
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偏差 |
<1° or customized declination angle |
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厚さ |
650±50μmまたはカスタマイズされた |
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導電性の種類 |
N、半絶縁 |
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抵抗率 |
<1ω•cm>1×1010Ω・cm |
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XRD半値幅 |
<150arcsec |
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表面粗さRa |
<0.5nm |
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酸化ガリウムエピタキシャルウェーハ |
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・酸化ガリウム基板 |
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サイズ |
2インチおよびカスタマイズされた |
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飛行機 |
<001>またはカスタマイズされた |
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ドーパント |
Si、Sn、Fe |
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厚さ |
650±50μmまたはカスタマイズされた |
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XRD半値幅 |
<150arcsec |
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・酸化ガリウムホモエピタキシャル層 |
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ドーパント |
UID または Si |
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キャリア濃度 |
2x1016-1x1018 |
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T厚さ |
5-20μm |
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酸化ガリウムの利点:
広いバンドギャップ:酸化ガリウムはバンドギャップが約 4.8 ~ 4.9 電子ボルトと広いため、UV 検出器や電源装置などの用途に有利です。
高温安定性:-優れた高温安定性。摂氏 1200 度までの環境で動作できるため、高温、高電力、高周波のアプリケーション シナリオに適しています。-
高い絶縁破壊電界強度:酸化ガリウムは破壊電界強度が高いため、高電圧機器に広く使用されています。{0}
優れた光学特性:紫外から赤外までの広い波長範囲で良好な光透過性を示します。
優れた化学的安定性:酸化ガリウムは室温および常圧で高い化学的安定性を有し、多くの酸および塩基に対して良好な耐性を持っています。
これらの特性により、酸化ガリウムはパワーエレクトロニクス、オプトエレクトロニクス、光触媒、ガスセンサーなどの分野で幅広い応用可能性を持っています。
製品の用途
酸化ガリウムは、通信、レーダー、航空宇宙、高速列車、新エネルギー車両などの分野の放射線検出センサー チップに使用できます。{0}特に高出力、高温、高周波のデバイスでは、酸化ガリウムは炭化ケイ素や窒化ガリウムよりも優れた性能を発揮します。多くの面でより大きな利点があります。
酸化ガリウムで作られたパワーデバイスは、性能、コスト、適用範囲の点で炭化ケイ素や窒化ガリウムで作られた製品よりも優れています。今後 10 年間で需要が高まるにつれて、酸化ガリウムが徐々に炭素や窒化物に取って代わると予想されます。酸化ガリウムおよびその他の第 3 世代半導体材料-。
アプリケーションと機能

ファイバードーピング酸化ガリウム


電池材料 酸化ガリウム

全固体電池 酸化ガリウム

半導体酸化ガリウム

結晶酸化ガリウム

セラミックス酸化ガリウム

薄膜科学技術 酸化ガリウム
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